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Memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB, DDR5, 5600MHz, 1.1V, CL46, SODIMM
    
  • Memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB, DDR5, 5600MHz, 1.1V, CL46, SODIMM

Memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB, DDR5, 5600MHz, 1.1V, CL46, SODIMM

M425R1GB4PB0-CWMRS NB0Y
179,59 €
IVA incluido148,42 € sin IVA
  • Memoria: 8 GB RAM
  • Tipo de Memoria: Memoria DDR5
  • Latencia CAS: CL46
  • Voltaje: 1.1 V
  • Formato Memoria: SODIMM
  • Velocidad: 5600 Mhz
  • Cantidad: 1
Memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB, DDR5, 5600MHz, 1.1V, CL46, SODIMM

Memoria RAM

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Memoria estable y escalable para diversos sistemas informáticos.

La memoria DDR de Samsung ofrece el rendimiento, la capacidad y la fiabilidad necesarios para alimentar diversos entornos informáticos. Desde los exigentes requisitos térmicos y de durabilidad de los sistemas industriales hasta las rigurosas exigencias de rendimiento de las infraestructuras empresariales, nuestras soluciones están diseñadas para cumplir con los estándares más estrictos del sector. La familia DDR permite un procesamiento de datos fluido, un funcionamiento fiable y configuraciones escalables que mantienen un rendimiento estable a medida que las cargas de trabajo aumentan rápidamente.

La memoria DDR5 de Samsung ofrece velocidades por pin de hasta 8000 Mbps y admite densidades de hasta 32 Gb, lo que garantiza una mayor integridad de la señal y un funcionamiento estable gracias a la corrección de errores (ECC) integrada. Con apilamiento basado en TSV y una arquitectura de doble subcanal de 32 bits, está optimizada para servicios en la nube con uso intensivo de datos, computación de alto rendimiento y cargas de trabajo empresariales a gran escala.

Samsung SODIMM ofrece un formato compacto y de tamaño reducido, diseñado para portátiles, mini-PC y sistemas embebidos donde el espacio en la placa es limitado. Gracias a su eficiente señalización y a sus configuraciones flexibles de rango simple o doble, SODIMM proporciona un rendimiento de memoria estable en diseños con espacio reducido.

Especificaciones

DIMM de perfil pequeño
Capacidad8 GB (1 x 8 GB)
Tipo de memoriaDDR5
Velocidad5600 MT/s
Clasificación PCPC5-5600B
Latencia CASCL46
Organización1R x16, Single Rank
FormatoSO-DIMM de 262 pines
Voltaje1,1 V
Tipo de móduloSin búfer
ECCNo compatible

Ficha técnica

Referencia del fabricanteM425R1GB4PB0-CWMRS NB0Y
Peso0,01 kg
Identificación
MarcaSamsung
ReferenciaM425R1GB4PB0-CWMRS NB0Y
EAN0000000000000
Peso0,01 kg
Características
Memoria RAM8 GB RAM
Tipo de memoriaMemoria DDR5
Velocidad5600 Mhz

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