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Silicon Power SP004GBSFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz
    
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Silicon Power SP004GBSFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

004GBSFU266X02
13,04 €
RAM DDR4 SODIMM 4 GB Silicon Power 4gb dram ddr4-2666 cl19 - so-dimm
Silicon Power SP004GBSFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

Silicon Power

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Silicon Power SP004GBSFU266X02. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19
Características
Memoria interna
4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 4 GB
Tipo de memoria interna
DDR4
Velocidad de memoria del reloj
2666 MHz
Componente para
Portátil
Forma de factor de memoria
260-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
19
Voltaje de memoria
1.2 V
Retroiluminación
No
Certificación
CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
Otras características
Código de Sistema de Armomización (SA)
8473302

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